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ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的AC/DC转换器IC

2019-05-08 03:26:24 中关村商情网 编辑:玉米 浏览数:34集趣网

※截至2019年4月18日 ROHM调查数据全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调、街灯等工业设备,开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1)的AC/DC转换...

※截至2019年4月18日 ROHM调查数据

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调、街灯等工业设备,开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1)的AC/DC转换器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。

近年来,随着节能意识的提高,在交流400V工业设备领域,相比现有的Si功率半导体,可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体的应用越来越广。而另一方面,在工业设备中,除了主电源电路之外,还内置有为各种控制系统提供电源电压的辅助电源,辅助电源中广泛采用了耐压较低的Si-MOSFET和损耗较大的IGBT,在节能方面存在很大课题。

ROHM针对这些挑战,于2015年推出全球首款用来驱动高耐压、低损耗SiC MOSFET的AC/DC转换器控制IC,并一直致力于开发充分发挥SiC功率半导体性能的IC,在行业中处于领先地位。此次又开发出全球首款※内置SiC MOSFET的AC/DC转换器IC,将大大促进采用SiC MOSFET的AC/DC转换器在工业领域的普及。

“BM2SCQ12xT-LBZ”是世界首款内置节能性能极其优异的SiC MOSFET的AC/DC转换器IC,消除了分立结构带来的设计课题,从而可非常容易地开发出节能型AC/DC转换器。专为工业设备的辅助电源*3)用而优化的控制电路和SiC MOSFET一体化封装,使得新产品与普通产品相比具有诸多优势,部件数量显著减少(将12种产品和散热板缩减为1个产品),部件故障风险降低,引进SiC MOSFET相应的开发周期减少等,一举解决了诸多课题。与ROHM以往产品相比,功率转换效率提高达5%(按功率损耗计算,削减28%)。因此,本产品非常有助于工业设备实现显著小型化、高可靠性和节能化。

本产品已于2019年1月开始出售样品(样品价格2,500日元/个,不含税),计划于2019年5月开始暂以月产10万个的规模投入量产。另外,本产品和预计今夏开始销售的评估板将于2019年4月17日~19日在日本幕张国际会展中心举行的“TECHNO-FRONTIER 2019”上展出。

未来,ROHM将继续开发SiC元器件等功率半导体*4)和用来控制功率半导体的IC,并不断优化这些产品,为工业设备的节能化和系统优化贡献力量。

<新产品特点>

新产品“BM2SCQ12xT-LBZ”采用专为内置SiC MOSFET而开发的专用封装,并集成了专为工业设备的辅助电源而优化的SiC MOSFET驱动用栅极驱动电路等控制电路和1700V耐压SiC MOSFET。

作为全球首创的内置1700V耐压SiC MOSFET*的AC/DC转换器IC,本产品具有以下特点,非常有助于AC400V级工业设备的小型化、节能化以及实现更高可靠性,从而有助于推动采用SiC MOSFET的AC/DC转换器的顺利普及。

1.将散热板和多达12种产品一体化封装,在小型化方面具有压倒性优势

本产品采用一体化封装,相比采用Si-MOSFET的普通分立结构,部件数量显著减少,1个封装内包含多达12种产品(AC/DC转换器控制IC、800V耐压Si-MOSFET×2、齐纳二极管×3、电阻器×6)和散热板。另外,由于SiC MOSFET具有高耐压、抗干扰性能优异的特点,还可实现降噪部件的小型化。

2.减少开发周期和风险,内置保护功能,可靠性更高

采用一体化封装,可减少钳位电路和驱动电路的部件选型及可靠性评估的工时,可降低部件故障风险,可缩减引进SiC MOSFET时的开发周期,一举多得。另外,除了通过内置SiC MOSFET而实现的高精度过热保护(Thermal Shutdown)功能外,还配备了过负载保护(FB OLP)、电源电压引脚的过电压保护(VCC OVP)、过电流保护、二次侧电压的过电压保护功能。进行连续驱动的工业设备电源所需的丰富保护功能齐备,非常有助于提高可靠性。


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